碳化硅衬底退火炉

产品应用

高温退火炉系统主要用于化合物半导体：SiC或GaN的2’’、4’’、6’’晶原片或其他尺寸工艺片的高温退火、活化等工艺。碳化硅单晶生长一般是在高温下进行的，晶体生长结束后，晶体内部存在较大的残余应力。这些应力的存在，很容易导致晶体在加工中出现开裂现象，从而造成整根晶体的报废。因此碳化硅晶体加工前需要进行二次退火，去除其中的部分应力，降低晶体加工过程中开裂的风险。

碳化硅晶体退火需要较高的温度，一般在2000℃左右，甚至更高的温度。

产品特点

1、主要部件和材料采用国内名牌或国际名牌、从硬件上保证产品的优质和优良

2、所有的上位机控制管理软件均由我公司设计开发并由客户多年应用证明运行可靠

3、智能温控仪控制升温、恒温、降温、实现自动控温功能

4、控温仪具有工艺存储功能。可存储多条不同的工艺曲线，具有PID参数自运算及掉电保护功能，它与PLC及触摸屏组合可实现工况的模拟和控制

5、整个工艺过程控制也可全部由可编程序控制器（PLC）完成，全部动作均采用联锁保护，可选择手动或自动两种工作方式，并配有值得信赖的报警及保护措施。