氧化镓长晶炉

设备介绍：
1. 温度需求匹配
β-Ga₂O₃的熔点约为1800℃，硅钼棒（MoSi₂）加热元件可长期稳定工作在1600-1700℃，短时最高可达1800℃，完全满足VB法对氧化镓熔融与生长的温度要求。

2. 设备与工艺适配
VB法生长炉的结构特点，非常适合硅钼棒的安装与热场设计：

- 硅钼棒多为垂直悬挂式安装，可在炉膛内形成轴向温度梯度，完美匹配VB法“坩埚缓慢下降、熔体定向凝固”的工艺要求。

- 硅钼棒可在空气/含氧氛围下稳定工作，而VB法正是氧化镓生长中少数可在含氧氛围中进行的主流熔体法，能有效抑制Ga₂O₃的高温分解。